|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
- IRLL014NTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$0.95
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
41,389En existencias
-
45,000Se espera el 12/17/2026
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLL014NTRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
|
|
41,389En existencias
45,000Se espera el 12/17/2026
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
55 V
|
2 A
|
280 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
14 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2.1 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 10A
- IRLZ14SPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.44
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,843En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRLZ14SPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 10A
|
|
2,843En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
10 A
|
200 mOhms
|
10 V
|
1 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
3.7 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
- IRL100HS121
- Infineon Technologies
-
1:
$1.43
-
17,160En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IRL100HS121
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS
|
|
17,160En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN 2x2 (DFN2020)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
5.1 A
|
34 mOhms
|
20 V
|
1.1 V
|
3.7 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
11.5 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 8A
- IRLIZ14GPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.85
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
6,906En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRLIZ14GPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 8A
|
|
6,906En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
8 A
|
200 mOhms
|
10 V
|
1 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
- IRLB8314PBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.45
-
5,489En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLB8314PBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
|
|
5,489En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
30 V
|
171 A
|
1.9 mOhms
|
20 V
|
1.7 V
|
40 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
125 W
|
Enhancement
|
HEXFET
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
- IRLR014TRPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.83
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
4,584En existencias
-
4,000Se espera el 11/26/2026
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRLR014TRPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
|
|
4,584En existencias
4,000Se espera el 11/26/2026
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
7.7 A
|
200 mOhms
|
10 V
|
1 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
- IRLR3705ZTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.98
-
8,952En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLR3705ZTRPBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl
|
|
8,952En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
55 V
|
89 A
|
8 mOhms
|
16 V
|
3 V
|
66 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
130 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
- IRL80HS120
- Infineon Technologies
-
1:
$1.67
-
13,836En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IRL80HS120
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V
|
|
13,836En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
4,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
PQFN 2x2 (DFN2020)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
80 V
|
12.5 A
|
25 mOhms
|
20 V
|
1.1 V
|
7 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
11.5 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
- IRLZ44NPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.80
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
76,291En existencias
-
20,000Se espera el 11/11/2026
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLZ44NPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC LogLvlAB
|
|
76,291En existencias
20,000Se espera el 11/11/2026
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
55 V
|
47 A
|
35 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
48 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
83 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp
- IRLZ44PBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.73
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,744En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRLZ44PBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 50 Amp
|
|
1,744En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
50 A
|
28 mOhms
|
10 V
|
2 V
|
66 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
- IRLZ14PBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.01
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
1,762En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRLZ14PBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 10A
|
|
1,762En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
10 A
|
200 mOhms
|
10 V
|
2 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
43 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
- IRLL024NTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.12
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
10,607En existencias
-
10,000En pedido
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLL024NTRPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 4.4A 65mOhm 10.4nC LogLvl
|
|
10,607En existencias
10,000En pedido
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
55 V
|
4.4 A
|
100 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
15.6 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
2.1 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 50A
- IRLZ44SPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$3.99
-
5,117En existencias
-
6,000Se espera el 11/12/2026
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRLZ44SPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 N-CH 60V 50A
|
|
5,117En existencias
6,000Se espera el 11/12/2026
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-3 (TO-263-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
50 A
|
28 mOhms
|
10 V
|
1 V
|
66 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
- IRLZ44PBF-BE3
- Vishay / Siliconix
-
1:
$3.68
-
551En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
78-IRLZ44PBF-BE3
|
Vishay / Siliconix
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 N-CH 60V 50A
|
|
551En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
50 A
|
28 mOhms
|
10 V
|
2 V
|
66 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
150 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HEXFET Power MOSFET N-Channel 40V, D2PAK-7
- IRL40SC228
- Infineon Technologies
-
1:
$5.74
-
10,297En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
726-IRL40SC228
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HEXFET Power MOSFET N-Channel 40V, D2PAK-7
|
|
10,297En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
557 A
|
500 uOhms
|
20 V
|
1 V
|
307 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
416 W
|
Enhancement
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
- IRL40SC209
- Infineon Technologies
-
1:
$5.62
-
3,483En existencias
-
12,000En pedido
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
726-IRL40SC209
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IR FET UP TO 60V
|
|
3,483En existencias
12,000En pedido
Existencias:
3,483 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
6,400 Se espera el 2/11/2027
5,600 Se espera el 5/20/2027
Plazo de entrega de fábrica:
11 Semanas
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
800
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
D2PAK-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
478 A
|
600 uOhms
|
20 V
|
1 V
|
267 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
375 W
|
Enhancement
|
StrongIRFET
|
Reel, Cut Tape
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 2.7 Amp
- IRLL014TRPBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$1.40
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
456En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRLL014TRPBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 60V 2.7 Amp
|
|
456En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,500
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
2.7 A
|
200 mOhms
|
10 V
|
2 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
3.1 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
- IRLR3114ZTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.74
-
4,467En existencias
-
NRND
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLR3114ZTRPBF
NRND
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V 1 N-CH HEXFET 4.5mOhms 40nC
|
|
4,467En existencias
|
|
Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
40 V
|
130 A
|
5.2 mOhms
|
16 V
|
2.5 V
|
40 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
140 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
- IRLR014PBF
- Vishay Semiconductors
-
1:
$2.03
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
14,530En existencias
|
N.º de artículo de Mouser
844-IRLR014PBF
|
Vishay Semiconductors
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
|
|
14,530En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
7.7 A
|
200 mOhms
|
10 V
|
1 V
|
8.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
25 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
- IRLU024NPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.83
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
13,531En existencias
-
15,000Se espera el 3/25/2027
|
N.º de artículo de Mouser
942-IRLU024NPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
|
|
13,531En existencias
15,000Se espera el 3/25/2027
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
55 V
|
17 A
|
110 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
10 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
38 W
|
Enhancement
|
|
Tube
|
|
|
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
- IRLB4030PBF
- Infineon Technologies
-
1:
$5.70
-
3,989En existencias
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N.º de artículo de Mouser
942-IRLB4030PBF
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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC
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3,989En existencias
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Min.: 1
Mult.: 1
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Si
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Through Hole
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TO-220-3
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N-Channel
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1 Channel
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100 V
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180 A
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4.5 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
130 nC
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- 55 C
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+ 175 C
|
370 W
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Enhancement
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Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
- IRLR120
- Vishay / Siliconix
-
1:
$4.56
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
2,761En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IRLR120
N.º de artículo de Mouser
844-IRLR120
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Vishay / Siliconix
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRLR
|
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2,761En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
|
No
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Si
|
SMD/SMT
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DPAK-3 (TO-252-3)
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|
Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
- IRLR024NTRPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$1.01
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
68,527En existencias
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N.º de artículo de Mouser
942-IRLR024NTRPBF
|
Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 55V 1 N-CH HEXFET 65mOhms 10nC
|
|
68,527En existencias
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
:
2,000
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|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
55 V
|
17 A
|
110 mOhms
|
16 V
|
1.8 V
|
10 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
38 W
|
Enhancement
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|
Reel, Cut Tape, MouseReel
|
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
- IRL540NPBF
- Infineon Technologies
-
1:
$2.03
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
5,269En existencias
-
31,428Se espera el 11/9/2026
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N.º de artículo de Mouser
942-IRL540NPBF
|
Infineon Technologies
|
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 36A 49.3nC 44mOhm LogLvAB
|
|
5,269En existencias
31,428Se espera el 11/9/2026
|
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
|
Min.: 1
Mult.: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
36 A
|
44 mOhms
|
16 V
|
2 V
|
49.3 nC
|
- 55 C
|
+ 175 C
|
140 W
|
Enhancement
|
|
Tube
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
- ZXMN6A11GTA
- Diodes Incorporated
-
1:
$1.52
-
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
-
422En existencias
-
6,000En pedido
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N.º de artículo de Mouser
522-ZXMN6A11GTA
|
Diodes Incorporated
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V N-Chnl UMOS
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422En existencias
6,000En pedido
Existencias:
422 Se puede enviar inmediatamente
En pedido:
3,000 Se espera el 7/21/2027
3,000 Se espera el 10/27/2027
Plazo de entrega de fábrica:
40 Semanas
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
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Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
:
1,000
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|
Si
|
SMD/SMT
|
SOT-223-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
60 V
|
4.4 A
|
120 mOhms
|
20 V
|
1 V
|
5.7 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
3.9 W
|
Enhancement
|
|
Reel, Cut Tape, MouseReel
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