IRFP260 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRFP
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Hoja de datos
No
Si Through Hole TO-247-3 Tube

IXYS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 46 Amps 200V 0.055 Rds
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Hoja de datos
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 46 A 55 mOhms 20 V - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
22,515En existencias
$3.96
$2.01
$1.69
$1.42
$1.41
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 4 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 200V 46A N-CH MOSFET
Hoja de datos
3,144En existencias
$7.18
$4.03
$3.81
$3.20
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 46 A 55 mOhms 20 V 2 V 230 nC - 55 C + 150 C 280 W Enhancement Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT 200V 49A 40mOhm 156nCAC
Hoja de datos
5,586En existencias
$3.93
$2.15
$1.92
$1.55
Ver
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 50 A 40 mOhms 20 V 1.8 V 156 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube