IRFP244 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Empaquetado

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRFP
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Hoja de datos
No
Si Through Hole TO-247-3 Tube

Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 250V 15A N-CH MOSFET
Hoja de datos
454En existencias
$4.96
$3.07
$2.44
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 15 A 280 mOhms 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube