IRF720 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (USD) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) RECOMMENDED ALT IRF7
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Si Through Hole TO-220-3 Tube

Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFT PCh -30V -4.6A 70mOhm 27nC 25,374En existencias
Cinta cortada
$1.08
$0.498
$0.441
$0.34
Envase tipo carrete
$0.253
Ver
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,000
Si SMD/SMT SOIC-8 P-Channel 1 Channel 30 V 4.6 A 130 mOhms 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 2.5 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
1,878En existencias
$1.87
$0.90
$0.795
$0.631
$0.521
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 3.3 A 1.8 Ohms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 3.3 Amp 82En existencias
1,000Se espera el 11/3/2026
$2.69
$1.42
$1.19
$1.05
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Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 400 V 3.3 A 1.8 Ohms 20 V 2 V 20 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO220 400V 3.3A N-CH MOSFET
1,535En existencias
$1.87
$1.18
$0.926
$0.745
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Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 3.3 A 1.8 Ohms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Chan 400V 3.3 Amp Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
Envase tipo carrete
$0.912
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) Reel
Vishay / BC Components Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET N-CHANNEL 400V
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
$0.912
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Si Through Hole TO-220-3 Tube
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH 99En existencias
$2.79
$1.55
$1.23
$0.994
$0.981
Se puede aplicar una tarifa de 38 % si el envío es a los Estados Unidos.
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 400 V 5.4 A 1 Ohms 30 V 3 V 26 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement SuperMESH