FDP2532

onsemi
512-FDP2532
FDP2532

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150V NCh UltraFET Power Trench

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
onsemi
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
150 V
79 A
16 mOhms
20 V
2 V
107 nC
- 55 C
+ 175 C
310 W
Enhancement
PowerTrench
Tube
Marca: onsemi
Configuración: Single
Tiempo de caída: 17 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 30 ns
Serie: FDP2532
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 39 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Alias de las piezas n.º: FDP2532_NL
Peso de la unidad: 0.068784 oz
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Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
USHTS:
8541290065
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
China
País de origen del ensamblaje:
China
País de difusión:
Estados Unidos
El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

PowerTrench® MOSFETs

onsemi PowerTrench® MOSFETs offer a broad portfolio of MOSFETs in the industry. These onsemi MOSFETs offer N-Channel and P-Channel versions optimized for low RDS(ON) switching performance and ruggedness. Typical applications include load switches, primary switching, mobile computing, DC-DC converters, and synchronous rectifiers.  

Disponibilidad

Existencias:
0

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En pedido:
8,704
Se espera el 2/19/2027
Plazo de entrega de fábrica:
52
Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Se establece un tiempo de entrega prolongado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máxima: 800
Precio unitario:
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Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

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